填补武汉碳化硅半导体材料领域空白 吉盛微制造基地在武汉经开区投产

吉盛微（武汉）新材料技术有限公司制造基地在武汉经开区正式投产，标志着武汉在第三代半导体关键材料领域迈出重要一步。该项目由吉盛崆科技旗下吉盛微公司投资建设，聚焦碳化硅（SiC）半导体衬底及外延材料的研发与规模化生产，有效填补了武汉市在碳化硅半导体材料领域的产业空白。

碳化硅作为第三代半导体核心材料，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、轨道交通、5G通信等高端领域，具有高击穿电压、高热导率和高频性能等显著优势。长期以来，国内碳化硅衬底及外延材料高端产能不足，武汉虽在光电子信息产业具备深厚基础，但在碳化硅半导体材料环节存在明显短板。吉盛微制造基地的投产，将补强武汉“光芯屏端网”产业链中第三代半导体材料的关键一环。

据悉，吉盛微制造基地一期已建成碳化硅衬底和外延材料生产线，具备规模化量产能力，产品将面向功率器件、射频器件等下游应用。项目达产后，预计将有效缓解华中地区碳化硅材料供给压力，并带动上下游企业集聚发展。武汉经开区相关负责人表示，该项目是经开区布局第三代半导体产业的重要落子，将依托区内新能源汽车和光电子产业集群优势，推动碳化硅材料与器件应用协同发展。

吉盛崆科技方面表示，吉盛微将以武汉基地为重要支点，持续加大研发投入，提升碳化硅材料良率和产能，助力武汉打造具有全国影响力的第三代半导体材料及器件产业高地。业内人士认为，该基地的投产不仅填补了武汉碳化硅半导体材料领域的空白，也为湖北抢占第三代半导体产业制高点提供了关键材料支撑。